本发明公开了一种异性堆叠石墨烯的制备 方法，包括如下步骤：准备绝缘或半导体的衬底； 在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源 层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；对掺 杂碳源层进行加热，使得碳融入到镍层中，然后 进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另 一侧生长纯石墨烯；退火蒸发镍层，使得掺杂石 墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。在绝缘 或半导体的衬底上生长层状的掺杂石墨烯和纯 石墨烯，避免了后续的转移步骤，也就避免了损 坏掺杂石墨烯和纯石墨烯。
