一种光学存储材料及其制备方法
产权类型:专利技术
所属人:***有限公司
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发布日期:2024.04.03
产权描述

一种光学存储材料,包括结构为ABO3结构的 钙钛矿无铅铁电陶瓷材料,其特征在于:该无铅 铁电陶瓷材料的化学式为Bi0 .4 95‑x Na0 .5TiO3 : 0 .005Ho‑xYb,其中0 .005≤x≤0 .05,通过在A位 添加0 .005摩尔含量的稀土元素Ho3+以及x摩尔 含量的稀土元素Yb3+,进而实现材料的光存储。 本发明还公开了上述光学存储材料的制备方法。 与现有技术相比,本发明能实现光学存储,且存 储信号稳定。

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