一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法
产权类型:专利技术
所属人:****有限公司
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发布日期:2024.06.18
产权描述

本发明属于纳米复合材料技术领域,尤其涉 及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底,由内部设 有一个中空腔体的半开放空心微球构成,其在水 平方向上设置有一个横向开孔,所述的半开放空 心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的 TiO2薄膜,在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄 膜。其通过结合模板法制备而成,以等离子体清 洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑,将TiO2和贵金属 经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有 技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相 同而电流密度不同电学环境的缺陷,通过本发明 可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境, 以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制 以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。

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